D램으로 날아오른 SK하이닉스...포트폴리오 다변화 승부수

지난해 4분기 기준 D램 매출액 73% 차지…수익 구조 다변화 필요 이미지 센서 ㆍAI 반도체 등 비메모리 반도체 인력 확충 인텔 낸드플래시 사업 인수…글로벌 2위 업체 도약

2021-02-16     최문정
SK하이닉스 M16 팹 전경 (사진=SK하이닉스)

[스페셜경제=최문정 기자]SK하이닉스가 D램 위주의 메모리 반도체 기업을 넘어 종합 반도체 기업으로의 전환을 서두르고 있다. 이를 위해 신규 개발·연구 인력 등을 채용하는 한편, 수익성 개선을 위한 움직임도 보이고 있다. 여기에 D램에 이어 낸드플래시의 경쟁력과 수익성을 강화하며 메모리 반도체의 양 날개를 갖춰 ‘반도체 슈퍼사이클’에 대비하겠다는 포부다.

16일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 이미지센서(CIS)와 반도체 팹 AI/DT 솔루션 등의 분야에서 경력직 사원을 모집하고 있다. 현재 메모리 반도체인 D램 위주의 수익구조에서 벗어나 낸드플래시, 파운드리(반도체 위탁생산), 시스템 반도체 등 다양한 사업 포트폴리오를 갖추고 있다는 의미다.

지난해 4분기 기준 D램은 회사 전체 매출의 73%를 차지한다. 또 다른 주력 메모리 제품인 낸드플래시는 23%에 그치며, 비메모리 반도체, 파운드리 등의 사업은 4% 수준이다.

SK 하이닉스 CMOS 이미지센서 전시 이미지 (사진=SK하이닉스)

앞서 SK하이닉스는 지난해 10월 ‘반도체 대전’에서 CIS제품인 0.8um 블랙펄(Black Pearl)을 공개했다. CIS는 렌즈로 들어오는 빛을 디지털 신호로 변환하는 이미지 센서로, 스마트폰 카메라, 생체인식, VR·AR 등 다양한 산업에 활용되는 대표적인 비메모리 반도체다. SK하이닉스는 D램 위주의 메모리 반도체 기업이었지만, 이를 탈피해 비메모리 반도체까지 아우르는 종합 반도체 기업으로의 변화를 의미한다.

지난달 29일 SK하이닉스는 지난해 연간실적 발표 이후 콘퍼런스 콜에서 “디스플레이드라이버IC(DDI)와 이미지센서(CIS) 중심 포트폴리오를 고수익 제품인 전력반도체(PMIC)를 포함한 다양한 제품으로 넓힐 것”이라고 예고한 바 있다.

파운드리 사업도 강화한다. 업계에 따르면 SK하이닉스는 청주에 위치한 M8팹 장비의 중국 장쑤성 우시시 공장으로 이전 작업을 더욱 빠르게 추진하고 있다. 당초 작업은 2년에 걸쳐 진행될 예정이었지만, 글로벌 고객사의 요구와 8인치 파운드리 시장의 호황 때문에 속도가 빨라진 것이다. 현재 M8 팹은 주요출자자(LP) 참여를 통해 간접 투자한 파운드리 업체 매그나칩을 통해 파운드리 사업이 진행 중이다. 생산능력은 8인치 파운드리 기준 10만~12만장 규모다.

SK하이닉스는 비메모리 반도체 영역을 신 성장 동력으로 삼은데 이어, 메모리 반도체의 사업 구조와 경쟁력도 강화하고 있다.

SK하이닉스는 올해 본격적인 낸드플래시 점유율 확대에 나선다. 그 동안은 낸드 사업 후발주자로서, 기술력과 인력 확보에 공을 들였다면, 올해부턴 본격적인 수익 창출에 힘쓰겠다는 의미다. 이에 따라 SK하이닉스는 D램과 낸드플래시라는 메모리 반도체의 양 날개를 갖춰 사업 영역을 넓힐 것으로 보인다.

이를 위해 SK하이닉스는 지난해 10월 10조3104억원에 인텔의 낸드사업부문을 인수했다. 또한 중국 다롄에 위치한 인탤의 3D 낸드 공장 또한 확보했다. 이에 따라 청주에 위치한 M15 공장과 함께 글로벌 생산 동력을 갖춰 글로벌 수요에 대응할 수 있다.

SK하이닉스는 이번 인텔 낸드사업 인수로 글로벌 낸드 플래시 점유율 2위에 올라설 수 있을 것으로 보인다. 시장조사업체 스태티스타에 따르면 지난해 2분기 기준 낸드플래시 부문 시장 점유율은 1위 삼성전자(31.4%), 2위 키옥시아(옛 도시바 메모리, 17.2%)다. 그 뒤를 웨스턴디지털(11.5%), SK하이닉스(11,7%), 인텔(11.5%), 마이크론테크놀로지(11.5%) 등의 기업이 대동소이한 점유율로 추격하고 있었다. 그러나 SK하이닉스가 인텔의 낸드사업을 인수하며 단순 계산으로 23.2%의 점유율을 확보하게 돼 단숨에 단독 2위 업체로 뛰어오를 전망이다. 2위인 키옥시아와의 격차도 상당하다.

SK하이닉스는 “28단 낸드플래시의 생산 비중은 30%에 이르고 있다. 빠른 수율개선과 안정적 양산 체제를 기반으로 생산 비중을 절반 이상으로 높일 것”이라고 밝혔다. 또한 “128단 낸드플래시 대비 생산성을 35% 높인 176단 낸드플래시의 개발을 작년 완료하고, 올해 양산을 준비하고 있다”며 “고성능, 저전력 하이엔드 모바일을 시작으로 응용처를 확대하겠다”고 밝혔다.

현재 글로벌 점유율 2위를 기록하고 있는 D램은 극자외선(EUV) 장비를 활용해 보다 작고 정밀한 공정으로 이동하고 있다.

SK하이닉스는 지난 1일 신규 반도체 팹 M16의 문을 열었다. EUV 장비를 갖춘 이 공장은 올해 하반기부터 4세대 10나노급(1a) D램 제품을 생산하는 한편, 향후 EUV 활용도를 더 높여 메모리반도체 미세공정 기술의 요충지로 자리잡을 전망이다.